| 摘要 |
<p>Ein MEMS-Sensor und ein Herstellungsverfahren desselben sind geliefert, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Ausbilden einer unteren Elektrodenschicht, wobei ein erstes Metall auf einen Abschnitt eines unteren Glassubstrates aufgedampft wird; Ausbilden einer Strukturschicht durch Ätzen gemäß einem Muster, das auf einer Oberseite eines Siliziumwafers ausgebildet wird, und dann weiter Ätzen auf die gleiche Stärke wie das Metall, das auf einem Abschnitt der unteren Elektrodenschicht ausgebildet wird; anodisches Bonden der Strukturschicht mit einem oberen Abschnitt der ausgebildeten unteren Elektrodenschicht; Ausbilden eines Abtastteils in der Strukturschicht durch Ätzen gemäß einem Muster, das auf einer gegenüberliegenden Oberfläche der Strukturschicht ausgebildet wird, die nicht geätzt wird; und Ausbilden einer oberen Elektrodenschicht durch Aufdampfen eines Metalls auf einen oberen Wafer und eutektisches Bonden der oberen Elektrodenschicht mit der Strukturschicht, auf der der Abtastteil ausgebildet wird.</p> |
