发明名称 Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Temperatur in einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors unter Verwendung zweier Temperatursensoreinrichtungen
摘要 Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung sowie ein Verfahren für eine thermische Behandlung, insbesondere eine Beschichtung eines Substrates (9), mit einer Heizeinrichtung (11), die von einer mit einer ersten Temperatursensoreinrichtung (7, 12) zusammenwirkenden Regeleinrichtung (13) geregelt wird. Um der Temperaturdrift entgegenzuwirken, wird eine zweite Temperatursensoreinrichtung (8) zum Erkennen einer Temperaturdrift der ersten Temperatursensoreinrichtung (7, 12) und Nachkalibrierung der ersten Temperatursensoreinrichtung (7, 12), vorgeschlagen. Die erste Temperatursensoreinrichtung (7, 12) bestimmt die Temperatur an einer ersten Stelle (M1, M2, M3, M4, M5, M6) eines Suszeptors (10). Die zweite Temperatursensoreinrichtung bestimmt die Temperatur an einer zweiten Stelle des Suszeptors (10). In einem Messintervall wird mit der zweiten Temperatursensoreinrichtung (8) die Oberflächentemperatur insbesondere eines Substrates (9) gemessen. Dieser Messwert wird mit einem Sollwert verglichen, wobei bei einer Abweichung des Sollwerts vom gemessenen Istwert ein Korrekturfaktor gebildet wird, mit dem der zur Regelung der Heizeinrichtung (11) verwendete Messwert der ersten Temperatursensoreinrichtung (7, 12) beaufschlagt wird, um den von der zweiten Temperatursensoreinrichtung (8) gemessenen Temperatur-Istwert dem zugehörigen Temperatur-Sollwert anzunähern.
申请公布号 DE102013114412(A1) 申请公布日期 2015.06.18
申请号 DE201310114412 申请日期 2013.12.18
申请人 AIXTRON SE 发明人 BOYD, ADAM;LAUFFER, PETER SEBALD;LINDNER, JOHANNES, DR.;SILVA, HUGO;THERES, ARNE
分类号 C23C16/46;C23C16/52 主分类号 C23C16/46
代理机构 代理人
主权项
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