具有可控电阻率的耐等离子体腐蚀陶瓷

摘要

本发明公开了在采用腐蚀/侵蚀性等离子体的半导体处理条件下抵抗腐蚀/侵蚀的特种陶瓷材料。腐蚀性等离子体可为含卤素等离子体。对所述特种陶瓷材料已经改性以提供抑制等离子体电弧放电可能的可控电阻率。

主权项

一种含陶瓷制品，能抵抗半导体处理中使用的含卤素等离子体的侵蚀，并且所述含陶瓷制品在从约350℃至室温范围内的温度下呈现在约10⁷到10¹⁵Ω‑cm范围内的可控电阻率，所述陶瓷制品具有表面，所述表面包含至少一种固溶体，所述至少一种固溶体包含氧化钇，并且其中包含氧化钇的至少一种固溶体还包含选自由氧化锆、氧化铪、氧化钪、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述氧化物的组合组成的组的一种或多种氧化物。