半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，接触刻蚀终止层可以包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；以第一氮化硅层作为有源区的阻挡层，通过刻蚀形成贯穿第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔；以氧化硅层作为有源区的阻挡层去除刻蚀有源区上方接触孔时，接触孔底部露出的第一氮化硅层；以第二氮化硅层作为有源区的阻挡层进行去除金属栅极上的金属氧化物的工艺。通过接触刻蚀终止层的阻挡，能够在去除金属栅极上的金属氧化物时，减少有源区表面材料的损耗，以提高半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，所述半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，所述接触刻蚀终止层包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；以所述第一氮化硅层作为所述有源区的阻挡层，通过刻蚀形成贯穿所述第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔；以所述氧化硅层作为所述有源区的阻挡层去除接触孔底部露出的所述第一氮化硅层，并停止在所述氧化硅层；以所述第二氮化硅层作为所述有源区的阻挡层进行去除所述金属栅极上的金属氧化物的工艺。