发明名称 一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开了一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜及其制备方法。在其基板的正表面上自下而上依次镀有ITO导电层、PT应力诱导层和PST薄膜,所述PT应力诱导层为钙钛矿相晶体结构且掺杂有杂质,所述杂质为其离子尺寸比Ti的离子尺寸大且其化合价比Ti的化合价小的金属离子。本发明制备工艺简单,所得复合薄膜的介电可调性具有优异的成分稳定性和温度稳定性,非常适用于介电可调薄膜的工业化生产。
申请公布号 CN102431235B 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201110255163.0 申请日期 2011.08.31
申请人 浙江大学 发明人 杜丕一;郑赞;宋晨路;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文
分类号 B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I 主分类号 B32B9/04(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 陈昱彤
主权项 一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜,其特征在于:在基板(1)的正表面上自下而上依次镀有铟锡氧化物导电层(2)、钛酸铅应力诱导层(3)和钛酸锶铅薄膜(4),所述钛酸铅应力诱导层(3)为钙钛矿相晶体结构且掺杂有杂质,所述杂质为其离子尺寸比Ti<sup>4+</sup>的尺寸大且其化合价比Ti<sup>4+</sup>的化合价小的金属离子,所述钛酸铅应力诱导层能够对钛酸锶铅薄膜的晶格施加拉应力而使所述复合薄膜的拉应力呈逐层递减的梯度分布。
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