发明名称 |
一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明属于太阳能和激光技术领域,具体为一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术,靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO<sub>2</sub>陶瓷靶,基片为石英或硅片;射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜,并通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量,从而得到致密性好,均匀程度高,机械和光学性能优良的上转换发光薄膜。 |
申请公布号 |
CN103397302B |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201310271374.2 |
申请日期 |
2013.07.01 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
沈杰;毛鑫光;王俊;罗胜耘 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法,其特征在于,采用射频磁控溅射技术,靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO<sub>2</sub>陶瓷靶,基片采用石英或硅片,射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜,通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量;制备的具体条件如下:基板温度为室温至300℃;溅射前真空室本底压强为2.0×10<sup>‑3</sup> Pa,射频磁控溅射时使用氧氩混合气体,总气压为0.1~1.0 Pa,其中,O<sub>2</sub>分压占总气压比为0.5~10.0%;溅射功率密度为17.7~177 kW/m<sup>2</sup> ;制备出的薄膜样品在空气下退火,或者在氮气、惰性气体保护下退火,退火温度为500~1200℃,退火时间为0.5~5小时。 |
地址 |
200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |