发明名称 一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法
摘要 本发明属于太阳能和激光技术领域,具体为一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术,靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO<sub>2</sub>陶瓷靶,基片为石英或硅片;射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜,并通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量,从而得到致密性好,均匀程度高,机械和光学性能优良的上转换发光薄膜。
申请公布号 CN103397302B 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201310271374.2 申请日期 2013.07.01
申请人 复旦大学 发明人 沈杰;毛鑫光;王俊;罗胜耘
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 陆飞;盛志范
主权项  一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法,其特征在于,采用射频磁控溅射技术,靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO<sub>2</sub>陶瓷靶,基片采用石英或硅片,射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜,通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量;制备的具体条件如下:基板温度为室温至300℃;溅射前真空室本底压强为2.0×10<sup>‑3</sup> Pa,射频磁控溅射时使用氧氩混合气体,总气压为0.1~1.0 Pa,其中,O<sub>2</sub>分压占总气压比为0.5~10.0%;溅射功率密度为17.7~177 kW/m<sup>2</sup> ;制备出的薄膜样品在空气下退火,或者在氮气、惰性气体保护下退火,退火温度为500~1200℃,退火时间为0.5~5小时。
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号