用于快速热处理的最小接触边缘环

摘要

本文提供用于半导体基板处理腔室的基板支撑件的边缘环的实施方式。在一些实施方式中，用于半导体处理腔室的边缘环可包括：具有开口、内缘、外缘、上表面和下表面的环形主体；设置于内缘附近且从上表面向下延伸的内唇；和从内唇向上延伸且沿环形主体的内缘设置的多个突出部，其中多个突出部被布置成在内唇上方和开口之上支撑基板，其中内唇被配置成当在多个突出部上设置基板时实质上防止光辐射在设置于边缘环上方的第一容积与设置于边缘环下方的第二容积之间行进。

主权项

一种用于基板处理腔室的边缘环，所述边缘环包括：环形主体，所述环形主体具有中央开口、内缘、外缘、上表面和下表面；内唇，所述内唇设置于所述内缘附近且从所述上表面向下延伸；和多个突出部，所述多个突出部从所述内唇向上延伸且沿所述环形主体的所述内缘设置，其中所述多个突出部被布置成在所述内唇上方和所述中央开口之上支撑基板；和其中所述内唇被配置成当在所述多个突出部上设置基板时实质上防止光辐射在设置于所述边缘环上方的第一容积与设置于所述边缘环下方的第二容积之间行进。