具有经改进漂移层触点的高电压横向延伸漏极MOS晶体管

摘要

本申请案涉及一种具有经改进漂移层触点的高电压横向延伸漏极MOS晶体管。一种集成电路及方法具有延伸漏极MOS晶体管，所述延伸漏极MOS晶体管具有掩埋漂移区、在所述掩埋漂移区与漏极触点之间的漏极端扩散链及在所述掩埋漂移区与沟道之间的同时形成的沟道端扩散链，其中所述沟道端扩散链是通过穿过经分段区域进行植入以将掺杂稀释到小于所述漏极端扩散链中的掺杂的三分之二而形成。

主权项

一种集成电路，其包括：平面延伸漏极金属氧化物半导体MOS晶体管，其位于第一导电性类型的衬底中，所述MOS晶体管包含：掩埋漂移区，其在所述衬底中在所述衬底的顶部表面下面，所述掩埋漂移区具有与所述第一导电性类型相反的第二导电性类型；漏极端扩散链，其在所述衬底中，所述漏极端扩散链具有所述第二导电性类型，所述漏极端扩散链在所述掩埋漂移区的漏极端处与所述掩埋漂移区电连接且与漏极触点电连接；以及沟道端扩散链，其在所述衬底中，所述沟道端扩散链具有所述第二导电性类型，所述沟道端扩散链在所述掩埋漂移区的沟道端处与所述掩埋漂移区电连接，所述沟道端扩散链具有小于所述漏极端扩散链中的平均掺杂密度的三分之二的平均掺杂密度。