发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件,提供有:包括GaN的半导体层(1)以及电极。该电极包括:电极主体(6);连接用电极(8),其在从半导体层(1)观看时形成在比电极主体(6)更远的位置处并且包括Al;以及阻挡层(7),其形成在电极主体(6)和连接用电极(8)之间,并且包括选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料。阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。 |
申请公布号 |
CN102422397B |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN200980159180.5 |
申请日期 |
2009.12.25 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
宫崎富仁;木山诚;堀井拓 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
孙志湧;穆德骏 |
主权项 |
一种半导体器件,其包括:半导体层(1,11),所述半导体层(1,11)包含氮化镓;以及电极(2,12),其中,所述电极(2,12)包括:电极主体(6);连接用电极(8),所述连接用电极(8)包含铝且形成在相比于所述电极主体(6)距离所述半导体层(1,11)更远的位置处;以及阻挡层(7),所述阻挡层(7)形成在所述电极主体(6)和所述连接用电极(8)之间,所述阻挡层(7)包含选自由W、TiW、WN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料,所述电极主体(6)包括与所述半导体层(1,11)形成肖特基接触的Ni层和形成在该Ni层上的Au层,并且,所述阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |