发明名称 |
钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体,所述激光晶体MeF<sub>2</sub>(Me=Ca、Sr、Ba等)中还掺杂有与所述钕离子Nd<sup>3+</sup>共掺的三价阳离子M<sup>3+</sup>(M=Y、Sc、La、Gd、Lu等)。本发明在钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体中通过共掺三价阳离子M<sup>3+</sup>,在保持其宽带发射光谱特性的前提下,降低Nd离子的荧光猝灭效应,提高荧光量子效率,并实现发光波长、发射截面和荧光寿命的调控。 |
申请公布号 |
CN103046131B |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201310027583.2 |
申请日期 |
2013.01.24 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
苏良碧;詹曜宇;李红军;王庆国;钱小波;姜大朋;汪传勇;王静雅;徐军 |
分类号 |
C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海唯源专利代理有限公司 31229 |
代理人 |
刘秋兰 |
主权项 |
一种钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体,其特征在于,所述二价阳离子氟化物激光晶体中还掺杂有作为与所述钕离子Nd<sup>3+</sup>共掺的三价阳离子M<sup>3+</sup>;所述二价阳离子氟化物激光晶体具有由所述三价阳离子M<sup>3+</sup>与所述钕离子Nd<sup>3+</sup>形成的[Nd<sup>3+</sup>‑n M<sup>3+</sup>]格位结构,其中n=1~5;其中,所述二价阳离子氟化物激光晶体的二价阳离子为Ca、Sr和/或Ba,所述三价阳离子M<sup>3+</sup>为Y<sup>3+</sup>、Sc<sup>3+</sup>、La<sup>3+</sup>、Gd<sup>3+</sup>和/或Lu<sup>3+</sup>,所述钕离子Nd<sup>3+</sup>的掺杂浓度为0.1at%‑5.0at%,所述三价阳离子M<sup>3+</sup>的掺杂浓度为0.1at%‑30.0at%。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |