| 发明名称 | 一种鳍型场效应晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种鳍型场效应晶体管的制作方法，用于使鳍片的上部边角圆滑化，从而提高半导体器件的性能。首先提供半导体基底，并通过硬掩膜形成鳍片。缩减该硬掩膜，并在所述半导体基底上形成牺牲层。首先实施第一刻蚀，去除一部分所述牺牲层；然后实施第二刻蚀，去除一部分所述牺牲层以及部分该鳍片的上部边角，使所述鳍片的边角圆滑化。最后去除该牺牲层和该硬掩膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102969248B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201110256123.8 | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种鳍型场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成硬掩膜；蚀刻形成鳍片；缩减所述硬掩膜；在所述半导体基底上形成牺牲层；实施第一刻蚀，去除一部分所述牺牲层，以露出所述鳍片的顶部边缘部分；实施第二刻蚀，去除一部分所述牺牲层以及部分所述鳍片的上部边角，使所述鳍片的边角圆滑化,其中，所述第二刻蚀为低选择性的非等向性刻蚀；去除所述牺牲层和所述硬掩膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||