| 发明名称 | 带有复合区的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及带有复合区的半导体器件。半导体器件包含在半导体主体中在漂移区带和电荷载流子传输区之间的pn结。存取沟道提供持久电荷载流子路径，所述持久电荷载流子路径通过在漂移区带和复合区之间的分离区将漂移区带和复合区连接。存取沟道调节在漂移区带和复合区中的等离子体密度。 | ||
| 申请公布号 | CN104716168A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201410754510.8 | 申请日期 | 2014.12.11 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | R. 巴布尔斯克;H. 许斯肯;P. 伊尔西格勒;J. G. 拉文;H-J. 舒尔策 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：pn结，在半导体主体中在漂移区带和电荷载流子传输区之间形成；复合区；和存取沟道，配置成形成持久电荷载流子路径，所述持久电荷载流子路径通过在复合区和漂移区之间的分离区来连接复合区与漂移区带。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||