| 发明名称 | 有效降低功耗的IGBT器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有效降低功耗的IGBT器件的制作方法，包括：1）在完成IGBT的正面工艺后，对晶圆的背面进行减薄，然后，通过对减薄的背面进行施主杂质离子注入掺杂，形成作为场终止作用的N型缓冲层；2）对背面进行受主杂质离子注入掺杂，形成P型集电极层；3）对背面进行激光退火，激活背面注入的N型缓冲层与P型集电极层。本发明在保证耐压等参数的基础上实现了更薄的N-base区，从而降低了器件的导通压降，实现了其耐压与导通压降的更佳的“优值”匹配，并且由于其电流密度的提高，使得其器件尺寸可以相应的缩小，实现了其成本的降低。 | ||
| 申请公布号 | CN104716040A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201310684374.5 | 申请日期 | 2013.12.13 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李娜 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种降低功耗的绝缘栅双极晶体管IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：1）在完成绝缘栅双极晶体管IGBT的正面工艺后，对晶圆的背面进行减薄，然后，通过对减薄的背面进行施主杂质离子注入掺杂，形成作为场终止作用的N型缓冲层；2）对背面进行受主杂质离子注入掺杂，形成P型集电极层；3）对背面进行激光退火，激活背面注入的N型缓冲层与P型集电极层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||