薄膜晶体管阵列

摘要

本发明提供即便在半导体层的形成中适用印刷法也具有高产量、定位精度良好、高开关比且元件间的不均少的薄膜晶体管阵列。本发明的薄膜晶体管阵列在第1方向及第2方向上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管和电容器的组合，其具有将配置于第1方向上的薄膜晶体管的源电极(27)彼此连接的多个源极配线(28)、将配置于第2方向上的薄膜晶体管的栅电极(21)彼此连接的多个栅极配线(22)、将配置于第2方向上的电容器的电容器电极(23)彼此连接的多个电容器配线(24)、以及将配置于第1方向上的薄膜晶体管的半导体层(13)彼此连接的多个半导体层连接线(12)，半导体层连接线(12)的宽度比薄膜晶体管的半导体层(13)的宽度窄。

主权项

一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，其在第1方向及垂直于所述第1方向的第2方向上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管和电容器的组合，所述薄膜晶体管由形成于绝缘基板上的栅电极、介由栅极绝缘膜形成于所述栅电极上的源电极及漏电极、以及至少形成在被所述源电极及所述漏电极包围的所述栅电极的区域上的半导体层构成；所述电容器由形成于所述绝缘基板上的电容器电极、和与介由所述栅极绝缘膜形成在所述电容器电极上的所述漏电极相连接的像素电极构成，所述薄膜晶体管阵列具有：将配置于所述矩阵的所述第1方向上的多个所述薄膜晶体管的所述源电极彼此相互连接的多个源极配线；将配置于所述矩阵的所述第2方向上的多个所述薄膜晶体管的所述栅电极彼此相互连接的多个栅极配线；将配置于所述矩阵的所述第2方向上的多个所述电容器的所述电容器电极彼此相互连接的多个电容器配线；以及将配置于所述矩阵的所述第1方向上的多个所述薄膜晶体管的所述半导体层彼此相互连接的多个半导体层连接线，其中，所述半导体层连接线的宽度比所述薄膜晶体管的所述半导体层的宽度窄。