发明名称 晶片封装体及其形成方法
摘要 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一上表面及一下表面;多个导电垫,位于该基底中或该下表面之下;一介电层,位于所述导电垫之间;一孔洞,自该基底之该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫;以及一导电层,位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度,还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
申请公布号 CN102244054B 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201110196836.X 申请日期 2011.03.11
申请人 精材科技股份有限公司 发明人 颜裕林;陈键辉;刘沧宇;尤龙生
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种晶片封装体,其特征在于,包括:一基底,具有一上表面及一下表面;多个导电垫,位于该基底的该下表面之下;一介电层,位于所述多个导电垫之间;一第一孔洞,自该基底的该上表面朝所述多个导电垫延伸,其中该第一孔洞的一接近该上表面的一上开口小于该第一孔洞的一接近该下表面的一下开口;一第二孔洞,自该第一孔洞的底部形成,且该第二孔洞的侧壁或底部露出部分的所述多个导电垫;以及一导电层,位于该第一孔洞及该第二孔洞之中,其中,所述多个导电垫为一堆叠结构,且至少包括彼此间夹置有该介电层的一上层导电垫及一下层导电垫,该上层导电垫具有至少一开口或沟槽,该开口或该沟槽露出该下层导电垫,该导电层电性接触该上层导电垫及该下层导电垫。
地址 中国台湾桃园县