浅沟槽隔离形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽；形成覆盖浅沟槽的底部和侧壁、开口的侧壁以及所述氮化硅层表面的保护氧化层；在开口侧壁的保护氧化层表面形成隔离侧墙；形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽和所述开口的隔离介质层；平坦化隔离介质层和保护氧化层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层。本发明形成的浅沟槽隔离无边沟现象。

主权项

一种浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽；形成覆盖浅沟槽的底部和侧壁、开口的侧壁以及所述氮化硅层表面的保护氧化层；仅在开口侧壁的保护氧化层表面形成隔离侧墙，所述隔离侧墙形成步骤包括：在所述保护氧化层表面形成隔离侧墙薄膜；对所述隔离侧墙薄膜进行等离子体回刻蚀，由于浅沟槽的侧壁是倾斜的，在等离子体回刻蚀过程中，位于浅沟槽的侧壁和保护氧化层上的隔离侧墙薄膜被完全去除，而位于开口侧壁的隔离侧墙薄膜被保留下来，形成隔离侧墙；形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽和具有隔离侧墙的开口的隔离介质层；平坦化隔离介质层和保护氧化层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层。