具有高GMR值的CCP-CPP磁阻读取器

摘要

一种具有高巨磁阻(GMR)值和适度低电阻面积积(RA)的磁阻器件包括第一磁性层、第二磁性层以及位于该第一磁性层与第二磁性层之间的电流限制路径(CCP)间隔层。该间隔层包括在第一磁性层与第二磁性层之间延伸的在氧化镁基质中的铜电流限制路径。由铜和氧化镁的混合物形成该间隔层，对该混合物进行热处理以在氧化镁基质中形成铜电流限制路径。

主权项

一种制造磁阻器件的方法，所述方法包括：形成第一磁性层；在所述第一磁性层上沉积第一Mg籽层；在所述第一Mg籽层上形成Cu和MgO的混合层；在所述混合层上沉积第二Mg籽层；在所述第二Mg籽层上沉积第二磁性层；以及对所述混合层进行热处理以形成包含MgO基质中的Cu电流限制路径的CCP间隔层；其中所述第一Mg籽层担当用于在CCP间隔层中形成MgO的籽层，并且所述第一和第二Mg籽层以及所述混合层在所述热处理期间转化成所述CCP间隔层。