半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以所述掩膜层为掩膜，对所述介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述介质层，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔。成通孔时，重复刻蚀步骤和聚合物的形成步骤，使得聚合物能保持一定的厚度，从而在整个刻蚀过程中，保护掩膜层不会受到损伤或损伤的速率减小，提高介质层相对于掩膜层的刻蚀选择比。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露介质层表面的开口，所述掩膜层材料为光刻胶或无定形碳；以所述掩膜层为掩膜，对所述介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述介质层，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔，所述偏置功率源输出的一个脉冲周期内，所述偏置功率源打开的时间为第一时间，所述偏置功率源关闭的时间为第二时间，第一时间与第一时间和第二时间之和的比值为第一占空比，等离子体刻蚀过程中，所述第一占空比保持不变或逐渐减小，其中所述第一占空比逐渐减小时，每个脉冲周期内第一时间和第二时间之和保持不变，其中所述第一占空比保持不变时，射频功率源以脉冲的方式输出射频功率，且所述射频功率源输出的一个脉冲周期内，所述射频功率源打开的时间为第三时间，所述射频功率源关闭的时间为第四时间，第三时间与第三时间和第四时间之和的比为第二占空比，所述第二占空比等于第一占空比。