温度控制方法以及等离子体处理系统

摘要

本发明提供一种温度控制方法以及等离子体处理系统，能够高精确度地控制晶圆(W)的温度。温度控制方法的特征在于，具备以下步骤：获取步骤，获取晶圆(W)的背面膜的种类的测量结果；选择步骤，从将向腔室内投入的能量、背面膜的种类以及晶圆(W)的温度相对应地进行了存储的第一数据库(330)，选择与作为上述测量结果的晶圆(W)的背面膜的种类和为了对上述晶圆(W)进行处理而投入的能量对应的晶圆(W)的温度；以及调整步骤，根据所选择的上述晶圆(W)的温度，调整上述晶圆(W)的温度。

主权项

一种温度控制方法，用于在蚀刻腔室的内部对被处理体的表面实施等离子体处理，其特征在于，包括以下步骤：测量步骤，以光学方式测量上述被处理体的背面膜的种类，其中上述背面膜形成于上述被处理体的背面，上述被处理体的背面为上述被处理体的与静电卡盘机构的表面相对的面，上述静电卡盘机构位于上述蚀刻腔室的内部并用于载置上述被处理体；获取步骤，获取上述被处理体的背面膜的种类的测量结果；选择步骤，从将高频电源输出的高频的能量、背面膜的种类以及被处理体的温度相对应地进行存储的第一数据库中，选择与作为上述测量结果的被处理体的背面膜的种类以及为了对上述被处理体的表面进行处理而输出的能量相对应的被处理体的温度；以及调整步骤，根据所选择的被处理体的温度，来控制冷却机构以及加热机构以调整上述被处理体的温度。