| 发明名称 | Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种机械加工性优异，并且为高密度且抗弯强度较高的Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法。该溅射靶具有含Ga：28～35原子％、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成，还具有以Ga：28原子％以上的高Ga含量Cu-Ga二元系合金相包围含Ga：26原子％以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu-Ga二元系合金相的共存组织。 | ||
| 申请公布号 | CN104718308A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201380053585.7 | 申请日期 | 2013.10.16 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 梅本启太;张守斌 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F3/14(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种Cu‑Ga二元系溅射靶，其特征在于，具有含Ga：28～35原子％、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成，还具有以Ga：28原子％以上的高Ga含量Cu‑Ga二元系合金相包围含Ga：26原子％以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu‑Ga二元系合金相的共存组织。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||