| 发明名称 | 使用间隔件双重图案化印刷多个结构宽度的方法 | ||
| 摘要 | 本申请案涉及一种使用间隔件双重图案化印刷多个结构宽度的方法。可通过以下方式形成含有按规则间距的线性结构(104)及(106)的集成电路(100)：在用于线性结构的材料层(146)上方以为所要线性结构的间距的两倍的心轴间距形成线性心轴。缩短用于第一多个线性结构(104)的心轴。在心轴上方保形地形成间隔件材料层，且各向异性地凹蚀间隔件材料层以形成心轴的横向表面上的间隔件(136)及(138)。经缩短心轴上的间隔件(136)由于各向异性凹蚀而比未经缩短心轴上的间隔件(138)窄。移除心轴，从而使间隔件(136)及(138)留在适当位置中以形成用于线性结构的基于间隔件的蚀刻掩模(144)。使用基于间隔件的蚀刻掩模(144)蚀刻用于线性结构(104)及(106)的材料层(146)以形成线性结构。来自经缩短心轴的线性结构(104)具有低于来自未经缩短心轴的线性结构(106)的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN104716032A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201410772816.6 | 申请日期 | 2014.12.12 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 金勇韩;崔尹升 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种形成集成电路的方法，其包括以下步骤：提供用于线性结构的材料层；在用于所述线性结构的所述材料层上方形成多个心轴，所述心轴具有为所述线性结构的所要间距的两倍长的间距；缩短所述多个所述心轴中的在用于第一多个所述线性结构的区域中的第一组心轴，使得所述多个所述心轴中的在用于第二多个所述线性结构的区域中的第二组心轴实质上不被缩短；在所述第一组所述心轴、所述第二组所述心轴及用于所述线性结构的所述材料层上方保形地形成间隔件材料层；各向异性地凹蚀所述间隔件材料层以形成用于所述第一多个所述线性结构的所述区域中的所述第一组所述心轴上的第一多个间隔件，且形成用于所述第二多个所述线性结构的所述区域中的所述第二组所述心轴上的第二多个间隔件，使得所述第一多个间隔件的水平厚度小于所述第二多个间隔件的水平厚度；移除所述心轴，从而使所述第一多个间隔件及所述第二多个间隔件留在适当位置中以形成基于间隔件的蚀刻掩模；以及使用所述基于间隔件的蚀刻掩模蚀刻用于所述线性结构的所述材料层以形成包含所述第一多个所述线性结构及所述第二多个所述线性结构的所述线性结构，其中所述第一多个线性结构的宽度小于所述第二多个线性结构的宽度。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||