| 发明名称 | 具有减小的栅极到源极与栅极到漏极重叠电容的金属栅极MOS晶体管 | ||
| 摘要 | 通过沿着已被形成为位于较远离源极(220)及漏极(222)处的侧壁结构(236)的内侧形成高k栅极电介质(226)来减小具有金属栅极(230)及所述高k栅极电介质(226)的MOS晶体管(200)的栅极到源极与栅极到漏极重叠电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104718626A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201380053370.5 | 申请日期 | 2013.11.08 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 马诺耶·梅赫罗特拉;新美广明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其包括：半导体区，其具有一导电性类型；源极，其接触所述半导体区，所述源极具有与所述半导体区的所述导电性类型相反的导电性类型；漏极，其接触所述半导体区，所述漏极位于与所述源极间隔开之处，且具有与所述半导体区的所述导电性类型相反的导电性类型；所述半导体区的沟道区，其位于所述源极与所述漏极之间；栅极电介质，其接触所述沟道区且位于所述沟道区上方；及金属栅极，其接触所述栅极电介质且位于所述栅极电介质上方，所述金属栅极具有下部宽度及大于所述下部宽度的上部宽度。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||