发明名称 |
一种带隙基准的启动电路 |
摘要 |
本发明涉及一种带隙基准的启动电路,电阻R1、电容C1和电容C2的一端均接地,MOS管M7的栅端与源端连接后接地,电阻R1的另一端、MOS管M4的漏端和MOS管M5的栅端连接于d点,MOS管M5的漏端、MOS管M6的栅端、电容C1的另一端以及MOS管M7的漏端连接于e点,MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的源端均与V<sub>DD</sub>电源连接,MOS管M4的栅端接V<sub>DD</sub>电源,MOS管M6的漏端以及电容C2的另一端均与带隙基准连接。本发明解决了现有的带隙基准的启动电路始终存在一个静态功耗、版图面积大的技术问题。当带隙基准启动完成后,本发明启动电路没有静态电流,节省了功耗。 |
申请公布号 |
CN104714594A |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201510142050.8 |
申请日期 |
2015.03.27 |
申请人 |
西安华芯半导体有限公司 |
发明人 |
成俊 |
分类号 |
G05F3/26(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/26(2006.01)I |
代理机构 |
西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人 |
张倩 |
主权项 |
一种带隙基准的启动电路,其特征在于:包括MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、电阻R1、电容C1和电容C2,所述电阻R1、电容C1和电容C2的一端均接地,所述MOS管M7的栅端与源端连接后接地,所述电阻R1的另一端、MOS管M4的漏端和MOS管M5的栅端连接于d点,所述MOS管M5的漏端、MOS管M6的栅端、电容C1的另一端以及MOS管M7的漏端连接于e点,所述的MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的源端均与V<sub>DD</sub>电源连接,所述MOS管M4的栅端接V<sub>DD</sub>电源,所述MOS管M6的漏端以及电容C2的另一端均与带隙基准连接,所述MOS管M5的宽长比小于MOS管M6的宽长比。 |
地址 |
710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层 |