用于扁平工件的双面处理的装置和用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法

摘要

公开了一种用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法，其中，每个半导体晶片可自由移动地位于多个承载盘中的一个承载盘的凹部中，所述承载盘借助于环形外齿轮和环形内驱动轮被使得转动，从而每个半导体晶片在摆线路径曲线上移动，同时半导体晶片被处理以在两个转动的环形工作盘之间去除材料，所述环形工作盘包括工作层，且承载盘和/或半导体晶片在处理过程中以它们的表面的一部分暂时离开由工作盘限制的工作间隙，其中，承载盘在与所述工作间隙的中心平面大致共面延伸的运动平面上通过相应地包括环形区域的两个工作盘引导，所述环形区域不包含工作层，且确保在承载盘和/或半导体晶片从所述工作间隙偏移的过程中引导承载盘。

主权项

一种用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法，其中，每个半导体晶片(1)可自由移动地位于多个承载盘(5)中的一个承载盘的凹部中，所述承载盘(5)借助于环形外齿轮(7a)和环形内驱动轮(7b)被使得转动，从而每个半导体晶片(1)在摆线路径曲线上移动，同时半导体晶片(1)被处理以在两个转动的环形的下、上工作盘(4a，4b)之间去除材料，所述下、上工作盘包括工作层(3a，3b)，且承载盘(5)和/或半导体晶片(1)在处理过程中以它们的表面的一部分暂时离开由下、上工作盘(4a，4b)限制的工作间隙，其中，承载盘(5)在与所述工作间隙的中心平面共面延伸的运动平面上通过相应地包括环形区域(18a，18b)的下、上工作盘(4a，4b)引导，所述环形区域不包含工作层(3a，3b)，且确保在承载盘(5)和/或半导体晶片(1)从所述工作间隙偏移的过程中引导承载盘(5)。