发明名称 |
开关管的制作方法及开关管的蚀刻设备 |
摘要 |
本发明公开了一种开关管的制作方法,包括在玻璃基板上依次形成开关管的控制电极、绝缘层、有源层以及源漏金属层,对源漏金属层进行图案化处理后暴露有源层,之后对暴露的有源层以逐步降低蚀刻速度的方式进行蚀刻以形成开关管的沟道。本发明还公开一种开关管的蚀刻设备。通过上述方式,本发明能够减小对开关管沟道的损伤,提高开关管的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102938379B |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201210476822.8 |
申请日期 |
2012.11.21 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
阙祥灯 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦 |
主权项 |
一种开关管的制作方法,其特征在于,包括:在玻璃基板上依次形成开关管的控制电极、绝缘层、有源层以及源漏金属层,其中,所述有源层包括邻近所述绝缘层的非晶硅层以及形成于所述非晶硅层之上的n<sup>+</sup>非晶硅层;将所述源漏金属层进行图案化处理以暴露有源层,并相应形成所述开关管的输入电极和输出电极,其中,将所述源漏金属层进行图案化处理以暴露所述n<sup>+</sup>非晶硅层;对暴露的有源层以逐步降低蚀刻速度的方式进行蚀刻以形成开关管的沟道,其中,使用具有第一能量的等离子体蚀刻暴露的n<sup>+</sup>非晶硅层以暴露非晶硅层;使用具有第二能量的等离子体蚀刻暴露的非晶硅层以除去部分所述非晶硅层,所述第二能量小于第一能量,进而逐步降低所述蚀刻速度。 |
地址 |
518000 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 |