在原子层沉积系统中抑制过量前体在单独前体区之间运送

摘要

用于ALD薄膜沉积的系统和方法200，300包括一种用于在涉及多个单独前体区214、216、314、316的基于平移的工艺中从基板210、310的表面移除过量非化学吸附前体的机构280，380。根据本公开的过量前体移除机构280，380可引入局部高温条件、高能条件、或者过量前体的共沸物，以在其到达单独前体区之前释放过量前体，由此抑制了CVD沉积发生、而不会造成基板的热引起的降解。

主权项

一种向基板上沉积薄膜的方法，包括：将第一前体气体引入到第一前体区内；将第二前体气体引入到与所述第一前体区相分隔开的第二前体区内，所述第二前体气体不同于所述第一前体气体；将惰性气体引入到插置于所述第一前体区与第二前体区之间的隔离区内；赋予所述基板与所述前体区之间的相对移动、从而使得所述基板的表面循序地向所述第一前体气体、所述惰性气体、所述第二前体气体和所述惰性气体暴露，其中所述表面向所述第一前体气体的暴露留下在所述表面上的所述第一前体气体的化学吸附部分和在所述表面上的所述第一前体气体的过量非化学吸附部分；以及当所述基板的表面向所述惰性气体暴露时，将所述表面的每个部分通过位于所述隔离区内在所述第一前体区或第二前体区附近的过量前体移除机构而暂时地向施加的能量暴露，并且向所述隔离区中所包含的惰性气体暴露，从而从所述表面主动地移除过量非化学吸附的第一前体以抑制所述过量非化学吸附的第一前体进入到所述第二前体区内，而同时在所述表面上留下化学吸附的第一前体，由此，当所述基板向所述第二前体气体暴露时，所述第二前体气体与在所述表面处的所述化学吸附的第一前体起反应以在其上沉积薄膜。