发明名称 模拟开关与用于控制模拟开关的方法
摘要 本发明涉及模拟开关以及用于控制模拟开关的装置与方法。模拟开关可以可靠地保持在关闭状态。开关包括:具有源极、漏极和栅极的P型第一晶体管,具有源极、漏极和栅极的N型第二晶体管,和驱动第一和第二晶体管的栅极的开关控制电路。第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极连接在第一节点,并且第一晶体管的源极和第二晶体管的漏极连接在第二节点。当在第一或第二节点的电压超出开关控制电路的电源电压范围时,通过调节第一晶体管与第二晶体管的栅极电压,开关控制电路可操作地响应于使开关高阻抗的信号。
申请公布号 CN104716939A 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201410779691.X 申请日期 2014.12.16
申请人 亚德诺半导体集团 发明人 D·埃亨
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 申发振
主权项 一种模拟开关,调节其开关晶体管的电压以满足所期望的开关状态,包括:具有源极、漏极与栅极的P型第一晶体管;具有源极、漏极与栅极的N型第二晶体管,其中所述第二晶体管的所述源极在第一节点耦合到所述第一晶体管的所述漏极并且所述第二晶体管的所述漏极在第二节点耦合到所述第一晶体管的所述源极;和开关控制电路,当所述第一与第二节点的电压的至少一个超出所述开关控制电路的电源电压范围时,被配置使用来自至少在所述第一节点电压和在所述第二节点电压之一的电压,驱动至少所述第一与第二晶体管的所述栅极之一。
地址 百慕大群岛(英)哈密尔顿