| 摘要 |
<p>이 다결정 실리콘 제조 방법은 반응로 내에 세워 설치한 복수의 실리콘 심봉을 가열하여, 반응로의 내저부의 가스 분출구로부터 분출된 원료 가스에 의해 실리콘 심봉의 표면에 다결정 실리콘을 석출시키는 다결정 실리콘의 제조 방법에 있어서, 가스 분출구로부터의 원료 가스의 분출 속도를 점차 상승시키는 운전 초기의 안정화 단계와, 그 후 상기 분출 속도를 상기 안정화 단계보다 큰 상승도로 일단 상승시킨 후에, 그것보다 작은 상승도로 점차 상승시키는 형상 단계와, 이 형상 단계를 거친 후, 상기 분출 속도를 상기 형상 단계의 종료시보다 작게 하는 성장 단계를 갖는다.</p> |
