一种片状三氧化钨光电极及其制备方法

摘要

本发明涉及一种多孔WO₃片状阵列薄膜的制备，首先利用直流反应磁控溅射方法，以Ar气为溅射气体，O₂气为反应气体，采用双金属靶共溅射，其中一个靶为钨靶，另一种为铝、铜、锌中的一种，溅射得到非晶氧化物薄膜。将制备的非晶金属氧化物薄膜浸入强酸性溶液中进行选择性刻蚀，在基片上得到了片状的多孔结构，空气中450-550℃退火，形成单斜晶相WO₃，形貌保存完好。该方法得到的多孔氧化钨电极的比表面积增加，吸光性能大幅度提高，材料与基底的结合力较好。本发明的优点在于：可以实现大规模生产，制备工艺简单，制备的WO₃电极相比于未刻蚀的致密的WO₃电极，饱和光电流提高3倍，亦可应用到染料敏化电池，电致变色器件等。

主权项

一种片状阵列构成的WO₃多孔薄膜光电极，其特征在于：其中WO₃片大小为200‑1800nm，厚度为20‑80nm，整体呈阵列堆叠方式。