半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，在所述介电层中形成有凹槽；在所述凹槽内和所述介电层上形成相变材料层，所述相变材料层填满所述凹槽；在所述相变材料层上形成保护层；以及执行化学机械抛光工艺，去除所述保护层和所述凹槽以外的相变材料层。根据本发明的制作半导体器件的方法，在相变材料层的上面形成保护层。该保护层在化学机械抛光过程中覆盖相变材料层，可以保护相变材料层，避免在抛光过程中将相变材料层完全拔出。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，在所述介电层中形成有凹槽；在所述凹槽内和所述介电层上形成相变材料层，所述相变材料层填满所述凹槽；在所述相变材料层上形成保护层；以及执行化学机械抛光工艺，去除所述保护层和所述凹槽以外的相变材料层。