| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括：半导体衬底；层间介电层，所述层间介电层位于所述半导体衬底上，且所述层间介电层中形成有暴露所述半导体衬底的凹槽；以及栅极结构，所述栅极结构位于所述凹槽内，所述栅极结构包括栅极介电层和位于所述栅极介电层之上的栅极金属层，所述栅极金属层的至少上部由钨合金形成。根据本发明的半导体器件在化学机械抛光过程中，栅极金属层的表面不易出现断裂等缺陷，不会对半导体器件的性能带来不利影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104716172A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201310684018.3 | 申请日期 | 2013.12.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 蒋莉 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；层间介电层，所述层间介电层位于所述半导体衬底上，且所述层间介电层中形成有暴露所述半导体衬底的凹槽；以及栅极结构，所述栅极结构位于所述凹槽内，所述栅极结构包括栅极介电层和位于所述栅极介电层之上的栅极金属层，所述栅极金属层的至少上部由钨合金形成。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||