具有偏置钝化以减少电迁移的半导体结构

摘要

一种半导体结构，其中包括三维结构的多个堆叠的半导体芯片。第一半导体芯片与第二半导体芯片相接触。第一半导体芯片包括：延伸穿过第一半导体芯片的硅通孔(TSV)；第一半导体芯片表面上的导电衬垫，TSV以接触到导电衬垫的第一侧面而终止；覆盖导电衬垫的钝化层，钝化层具有多个开口；以及形成在多个开口内并且与导电衬垫的第二侧面相接触的多个导电结构，多个导电结构与导电衬垫的接触相对于TSV与导电衬垫的接触而偏置。

主权项

一种半导体结构，包括：延伸穿过半导体结构的硅通孔TSV；半导体结构表面处的导电衬垫，所述TSV以接触到所述导电衬垫的第一侧而终止；覆盖所述导电衬垫的钝化层，所述钝化层具有多个对着所述导电衬垫的第二侧的开口，所述多个开口分布在所述钝化层并且通过所述多个开口暴露所述导电衬垫；以及形成在多个所述开口内并且与所述导电衬垫的第二侧相接触的多个导电结构，所述多个导电结构与所述导电衬垫的接触相对于所述TSV与所述导电衬垫的接触偏置。