发明名称 |
一种高光能密度输出的LED外延结构 |
摘要 |
本实用新型涉及一种高光能密度输出的LED外延结构,将两组或两组以上的LED基本结构单元以隧道节的结构进行连接而形成统一的外延器件结构,LED基本结构单元包括:n型层、发光层和P型层,其中,发光层处于n型层和p型层之间。并且,n型层、发光层和P型层又由若干子层组成。本实用新型所述LED外延结构可以在较低的电流密度注入条件下即获得较高的光子能流密度输出,提高了器件的光学控制因子。同时,它也缓解了LED器件在大电流密度驱动条件下的“能效降低”(Efficiency Droop)问题,维持了器件较高的能量转换效率。 |
申请公布号 |
CN204407350U |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201420675598.X |
申请日期 |
2014.11.12 |
申请人 |
江苏鑫博电子科技有限公司 |
发明人 |
马亮;裴晓将;李金权;刘素娟;胡兵 |
分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 |
北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
代理人 |
杨立 |
主权项 |
一种高光能密度输出的LED外延结构,其特征在于,包括依次设置的衬底层和外延层;所述外延层包括至少两组LED基本单元和至少一个隧道节;所述每两组LED基本单元之间通过一个隧道节连接;所述隧道节包括至少两个隧道子层。 |
地址 |
213200 江苏省常州市金坛市朱林镇东大街108号 |