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外延片的制造方法，包括：根据硅晶片表面的凹凸控制对所述晶片表面的蚀刻液的供给，以此平滑化所述晶片表面的平滑化工序；和通过外延生长在所述平滑化了的晶片表面上形成单晶硅构成的外延层的外延层形成工序，其特征在于，在将单晶硅锭切片得到薄圆板状晶片的切片工序之后接着进行上述平滑化工序，而且，使在上述切片工序中得到的单个薄圆板状硅晶片在水平方向上旋转，并向上述旋转着的晶片表面供给酸蚀刻液，来使上述供给的酸蚀刻液借助离心力扩展到整个晶片表面，由此进行所述平滑化工序，通过预先使用激光反射方式利用晶片表面的激光反射来测定上述晶片表面的凹凸，将晶片表面的凹凸记忆在存储器中，基于此进行上述对晶片表面的酸蚀刻液的供给，上述工序使用下述蚀刻装置进行，该蚀刻装置具有：借助旋转轴连接在载物台上的介由上述旋转轴旋转驱动上述载物台的旋转驱动源，由用于可移动支撑喷嘴的喷嘴基部和用于限制上述喷嘴基部的位置及移动的引导部构成的喷嘴位置控制装置，在上述喷嘴基部上，设有由调节上述喷嘴基部与上述喷嘴之间的角度的机构、调节上述喷嘴前端距离晶片的高度位置的机构以及切换上述喷嘴喷出和不喷出蚀刻液的机构构成的喷射状态控制装置，控制上述旋转驱动源的转数设定晶片转数，控制蚀刻液供给装置以规定蚀刻液供给状态，同时控制上述喷嘴位置控制装置、上述喷射状态控制装置以设定喷嘴的状态和位置的控制装置，上述控制装置具有演算部和多个存储器。 |
