发明名称 |
软开关机电路 |
摘要 |
本发明公开了一种软开关机电路,包括:P沟道MOSFET,其源极与外部供电电源连接,栅极通过第一电阻与外部供电电源连接,漏极与系统电源连接;N沟道MOSFET,其源极接地,栅极通过第二电阻接地,漏极与P沟道MOSFET的栅极连接;隔离部件,其第一极与P沟道MOSFET的栅极连接,第二极通过第四电阻与系统电源连接,第三极通过电源键接地;输入I/O口,与隔离部件的第二极连接;输出I/O口,通过第三电阻与N沟道MOSFET的栅极连接,本发明开/关机控制流程为:检测输入I/O口是否为低电平,若为高则程序结束,若为低则将输出I/O口置为高电平或低电平。借此,本发明保证系统关机后彻底切断电源,无待机电流。 |
申请公布号 |
CN102213993B |
申请公布日期 |
2015.06.17 |
申请号 |
CN201010142429.6 |
申请日期 |
2010.04.01 |
申请人 |
康佳集团股份有限公司 |
发明人 |
白延召 |
分类号 |
G06F1/32(2006.01)I;H02H3/027(2006.01)I |
主分类号 |
G06F1/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
黄韧敏 |
主权项 |
一种软开关机电路,其特征在于,包括:P沟道MOSFET,其具有源极、栅极和漏极,其源极与外部供电电源连接,其栅极通过第一电阻与所述外部供电电源连接,其漏极与系统电源连接;N沟道MOSFET,其具有源极、栅极和漏极,其源极接地,其栅极通过第二电阻接地,其漏极与所述P沟道MOSFET的栅极连接;隔离部件,其包括两只负极连接在一起的二极管,所述两只二极管的正极分别为第一极和第二极,所述两只二极管的负极为第三极,所述第一极与所述P沟道MOSFET的栅极连接,所述第二极通过第四电阻与系统电源连接,所述第三极通过一电源键接地;输入I/O口,与所述隔离部件的第二极连接;输出I/O口,通过第三电阻与所述N沟道MOSFET的栅极连接,所述软开关机电路的开/关机控制流程为:检测所述输入I/O口是否为低电平,若为高电平则结束所述开/关机控制流程,若为低电平则将所述输出I/O口置为低电平。 |
地址 |
518031 广东省深圳市南山区华侨城 |