半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。

主权项

一种半导体器件，包括：包括功率放大器电路的半导体芯片，其中，所述半导体芯片具有:(a)半导体衬底；(b)晶体管，其形成在所述半导体衬底上方，构成所述功率放大器电路；其中所述晶体管包括：(b1)多个漏极导线，其耦合至所述晶体管的漏极区域；以及(b2)多个源极导线，其耦合至所述晶体管的源极区域；以及(c)定向耦合器，其形成在所述半导体衬底上方，并且用于检测从所述功率放大器电路输出的输出功率；其中，所述定向耦合器包括：(c1)主线，其使用所述晶体管的输出导线；以及(c2)副线，其第一端子与用于将来自所述定向耦合器的输出转换成电压或电流的检测器电路电耦合，而其第二端子作为所述第一端子的另一端，经由无源元件与GND电耦合；其中，所述主线和所述副线彼此并行布置，其中，所述副线布置在所述源极导线之一的一部分的上方。