一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，由于MRAM的数字线的侧壁和底部被具有磁通集中作用的覆盖层所包覆，可以提高正在通过的电流的磁效率，有效地降低写入电流。并且，该半导体器件的制造方法把形成覆盖层的工艺合并入标准的CMOS工艺之中，在改善MRAM的写入效率的同时，具有工艺简单、成本低等优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括金属层和位于其上的第一层间介电层的前端器件，所述前端器件包括逻辑电路区和MRAM单元电路区，在所述第一层间介电层位于所述逻辑电路区的部分中形成通孔；步骤S102：在所述通孔内形成金属插塞；步骤S103：在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层，在所述第二层间介电层位于所述逻辑电路区的部分和位于所述MRAM单元电路区的部分中分别形成用于容置互连线的第一沟槽和用于容置数字线的第二沟槽；步骤S104：形成覆盖所述第二沟槽的内壁的具有磁通集中作用的覆盖层；步骤S105：形成位于所述第一沟槽内的互连线和位于所述第二沟槽内的数字线，其中，所述数字线的侧壁和底部被所述覆盖层所包覆。