一种宝石单晶生长方法

摘要

本发明涉及一种单晶生长方法，具体涉及一种宝石单晶生长方法。本发明在分段式热场结构长晶炉中，通过控制不同位置加热器功率配比以及功率降速配比，使晶体在热场环境下完成引晶、扩肩、等径生长以及退火冷却。本发明通过调整加热器上中下三部分的功率配比以及降速配比，可在晶体生长的不同阶段营造最适合晶体生长的热环境，既实现了熔体梯度的高度可调，也可实现温度控制的直观性与精确性，保持良好的生长界面，最终生长出的晶体外形光洁整齐、形状规则、无回熔，晶体透亮、缺陷少、利用率高，晶体良率可达85%以上。本发明适用于各种重量级别的蓝宝石生长过程，尤其适用于80-150kg级别的蓝宝石晶体生长。

主权项

一种宝石单晶生长方法，其特征在于，在分段式热场结构的长晶炉中，通过控制不同位置加热器的功率配比以及功率降速配比，使晶体在热场环境下完成引晶、扩肩、等径生长以及退火冷却。