| 发明名称 | 非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。 | ||
| 申请公布号 | CN104716020A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201410764284.1 | 申请日期 | 2014.12.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 高桥和也;古泽纯和;冈田充弘;米仓大雅 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C30B1/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种非晶硅的结晶化方法，其为使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于所述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的所述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少所述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||