基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法

摘要

一种基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法。其包括绘制磁阀式可控电抗器铁芯尺寸图；建立磁阀式可控电抗器中矩形磁阀结构模型；分析磁阀式可控电抗器各部位的损耗分布；绘制磁阀式可控电抗器内部磁力线分布图；优化磁阀设计；检验优化结果等步骤。本发明提供的基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法的效果：本发明主要研究铁耗的形成机理，绘制出各部位的损耗分布，根据研究结果，针对磁阀结构饱和时产生的边缘效应，对矩形磁阀结构进行了优化设计，结果表明优化后的结构在磁阀饱和时漏磁明显减少，从而使电抗器性能得到提高。

主权项

一种基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法，其特征在于：其包括按顺序执行的下列步骤：步骤一、绘制磁阀式可控电抗器铁芯尺寸图：以mm为单位，绘制磁阀式可控电抗器铁芯的结构平面图；步骤二、建立磁阀式可控电抗器中矩形磁阀结构模型：确定矩形磁阀的面积和高度，并在MagNet中建立模型；步骤三、分析磁阀式可控电抗器各部位的损耗分布，由此得出损耗分布情况，矩形磁阀处的铁芯损耗较大，损耗主要集中在内柱和边柱上，连接轭的损耗很小；步骤四、绘制磁阀式可控电抗器内部磁力线分布图，分析涡流损耗情况；步骤五、优化磁阀设计：针对矩形磁阀结构饱和时产生的边缘效应，对矩形磁阀结构进行优化设计；步骤六、检验优化结果：比较矩形结构和优化后磁阀饱和的磁密分布和边缘漏磁场，检验优化效果。