LED结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种LED结构及其形成方法。其中该LED结构包括：衬底；第一掺杂类型氮化物半导体层；第一电极；多量子阱，多量子阱包括周期交替排列的多个阱层和多个垒层，其中，阱层中具有p型掺杂区，其中，当第一掺杂类型为n型时，p型掺杂区位于阱层的前端，或者，当第一掺杂类型为p型时，p型掺杂区位于阱层的后端；第二掺杂类型氮化物半导体层；以及第二电极。本发明的LED结构通过在阱区局部进行p型掺杂，使阱区内部的空穴浓度得到明显提升，同时增加了电子与空穴的波函数分布重合概率，最终使发光效率得到提升。

主权项

一种LED结构，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂类型氮化物半导体层，所述第一掺杂类型氮化物半导体层位于所述衬底上；第一电极，所述第一电极位于所述第一掺杂类型氮化物半导体层的第一区域上；多量子阱，所述多量子阱位于所述第一掺杂类型氮化物半导体层的第二区域上，所述多量子阱包括周期交替排列的多个阱层和多个垒层，其中，所述阱层中具有p型掺杂区，其中，当所述第一掺杂类型为n型时，所述p型掺杂区位于所述阱层的前端，或者，当所述第一掺杂类型为p型时，所述p型掺杂区位于所述阱层的后端；第二掺杂类型氮化物半导体层，所述第二掺杂类型氮化物半导体层位于所述多量子阱上；第二电极，所述第二电极位于所述第二掺杂类型氮化物半导体层上。