发明名称 LED灯丝灯光源
摘要 本实用新型涉及一种LED灯丝灯光源,包括蓝宝石衬底,其特征是:所述蓝宝石衬底的下表面涂布荧光胶,蓝宝石衬底的上表面具有PSS反射层,在PSS反射层上依次设置缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO层和SiO<sub>2</sub>层,在ITO层和SiO<sub>2</sub>层之间设置电气连接金层,在SiO<sub>2</sub>层、ITO层和量子阱层上分别设有通孔,电气连接金层通过通孔分别连接SiO<sub>2</sub>层、ITO层和量子阱层;在所述SiO<sub>2</sub>层的上表面两端分别设置引线焊盘,两端的引线焊盘之间形成散热孔,散热孔的底部与SiO<sub>2</sub>层的上表面连通,在SiO<sub>2</sub>层的上表面涂布荧光胶。本实用新型所述LED灯丝灯光源发光均匀、性能可靠,辅以良好的散热设计,可以大电流使用。
申请公布号 CN204407351U 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201520136811.4 申请日期 2015.03.11
申请人 江苏新广联半导体有限公司 发明人 周锋
分类号 H01L33/20(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/20(2010.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 曹祖良;刘海
主权项 一种LED灯丝灯光源,包括蓝宝石衬底(1),其特征是:所述蓝宝石衬底(1)的下表面涂布荧光胶(10),蓝宝石衬底(1)的上表面具有PSS反射层,在PSS反射层上依次设置缓冲层(2)、N型GaN层(3)、量子阱层(4)、P型GaN层(5)、ITO层(6)和SiO<sub>2</sub>层(7),在ITO层(6)和SiO<sub>2</sub>层(7)之间设置电气连接金层(8),在SiO<sub>2</sub>层(7)、ITO层(6)和量子阱层(4)上分别设有通孔(11),电气连接金层(8)通过通孔(11)分别连接SiO<sub>2</sub>层(7)、ITO层(6)和量子阱层(4);在所述SiO<sub>2</sub>层(7)的上表面两端分别设置引线焊盘(9),两端的引线焊盘(9)之间形成散热孔(12),散热孔(12)的底部与SiO<sub>2</sub>层(7)的上表面连通,在SiO<sub>2</sub>层(7)的上表面涂布荧光胶(10)。
地址 214192 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号