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发明名称
銅系膜形成方法、銅系膜形成材料
摘要
超臨界流体中で基体上に銅系膜を形成する方法であって、超臨界流体中に(N,N’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート)銅2量体を溶解し、基体上に銅を堆積させ、銅系膜を形成する。
申请公布号
JP5734540(B1)
申请公布日期
2015.06.17
申请号
JP20150509228
申请日期
2014.11.12
申请人
気相成長株式会社
发明人
分类号
C23C26/00
主分类号
C23C26/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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