发明名称 銅系膜形成方法、銅系膜形成材料
摘要 超臨界流体中で基体上に銅系膜を形成する方法であって、超臨界流体中に(N,N’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート)銅2量体を溶解し、基体上に銅を堆積させ、銅系膜を形成する。
申请公布号 JP5734540(B1) 申请公布日期 2015.06.17
申请号 JP20150509228 申请日期 2014.11.12
申请人 気相成長株式会社 发明人
分类号 C23C26/00 主分类号 C23C26/00
代理机构 代理人
主权项
地址