晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法、系统及晶圆生产方法

摘要

为解决现有传统人为镜检导致的晶圆重复性光刻缺陷难以有效检出，容易漏检或误检的问题，本发明实施例提供了一种晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法、系统及晶圆生产方法。晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，包括如下步骤：S1、缺陷检查步骤：对被抽选晶圆上的缺陷进行全片扫描；S2、缺陷分析步骤：比较所述被抽选晶圆缺陷的位置信息和尺寸信息；判断分析的该批次晶圆中是否存在重复性光刻缺陷。本发明由于对被抽选晶圆进行全片扫描，并对扫描数据进行特殊的比对分析，从而可以有效、全面的检出重复性光刻缺陷，可避免漏检或误检，便捷性较高，能进一步提高光刻过程中的成品率，降低出货风险。

主权项

一种晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，包括如下步骤：S1、缺陷检查步骤：在某批次晶圆光刻工艺结束后，从该批次晶圆中抽选N片晶圆，对被抽选晶圆上的缺陷进行全片扫描，获得所述被抽选晶圆的缺陷信息；所述缺陷信息包括缺陷的位置信息和尺寸信息；S2、缺陷分析步骤：比较所述被抽选晶圆缺陷的位置信息和尺寸信息；若被抽选晶圆上均存在位置信息和尺寸信息一致的缺陷，则判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷；若被抽选晶圆上不存在位置信息一致的缺陷，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷；若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上已存在，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷；若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上不存在，同时，该缺陷的尺寸信息相似度大于等于预设相似度，则判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷；若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上不存在，同时，该缺陷的尺寸信息相似度小于预设相似度，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷。