低衰减少模光纤

摘要

本发明涉及一种低衰减少模光纤，芯层为三层，芯层外由内向外有三层包层；第一芯层的相对折射率差Δ1为0.34%~0.45%，R1为4.5μm~7.5μm，第二芯层的相对折射率差Δ2为0.20%~0.29%，R2为8μm~10μm，第三芯层的相对折射率差Δ3为0.15%~0.24%，R3为10μm~13μm，第一包层相对折射率差Δ4为-0.02%~0.02%，R4为14μm~18μm，第二包层为下陷包层，其相对折射率差Δ5为-0.8%~-0.4%，R5为19μm~31μm，第三包层纯石英玻璃层。本发明在1550nm支持四个稳定的传输模式，既具有较小的DGD又工艺简单便于制作，同时，还具有较低的衰减和较好的抗弯曲性能。

主权项

一种低衰减少模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层为三层，芯层外由内向外有三层包层；所述的三层芯层剖面结构中，第一芯层的相对折射率差Δ1为0.34％～0.45％，半径R1为4.5μm～7.5μm，第二芯层的相对折射率差Δ2为0.20％～0.29％，半径R2为8μm～10μm，第三芯层的相对折射率差Δ3为0.15％～0.24％，半径R3为10μm～13μm，所述的包层剖面结构中，第一包层为紧密围绕芯层的内包层，其相对折射率差Δ4为‑0.02％～0.02％，半径R4为14μm～18μm，第二包层为下陷包层，紧密围绕内包层，其相对折射率差Δ5为‑0.8％～‑0.4％，半径R5为19μm～31μm，第三包层为紧密围绕下陷包层的外包层，为纯石英玻璃层。