| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一晶体管，该晶体管包括：一源极区、一漏极区及设置于该源极区与该漏极区之间的一沟道区；一第一栅极，设置于该沟道区之上；以及多个第二栅极，设置于该漏极区之上。本发明的优点之一在于栅极结构于形成栅极结构的相同制造程序中同时形成，而间隔物与形成如间隔物的相同制造程序中同时形成，因此依据本实施例的静电放电保护装置的制作并不需要额外的制造成本。换句话说，栅极结构的形成完全地相容于既存的制造程序。 | ||
| 申请公布号 | CN104716188A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201510087269.2 | 申请日期 | 2010.06.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 朱鸣;张立伟;庄学理 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一晶体管，包括：一源极区、一漏极区及设置于该源极区与该漏极区之间的一沟道区，其中所述漏极区为连续区域；一第一栅极，直接设置于该沟道区之上；以及多个第二栅极，直接设置于该漏极区之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||