半导体封装结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法。此半导体封装结构的制造方法包括：将芯片及多个第一电性连接组件设置于基板的第一表面上，再将一封装胶体及一强化金属层压合于基板的第一表面上，以包覆芯片及第一电性连接组件，接着，在强化金属层上形成至少一窗孔，然后，形成至少一开孔于窗孔暴露出的封装胶体上，用于暴露出第一电性连接组件。本发明的半导体封装结构可做为堆叠式封装体(POP)中的底部封装体，以符合薄型化的要求，并可确保结构强度。

主权项

一种堆叠式半导体封装结构，其特征在于：所述堆叠式半导体封装结构的底部封装体包括：一基板；一芯片，设置于所述基板的第一表面上；多个第一电性连接组件，设置于所述基板的所述第一表面上，并位于所述芯片的周围；一封装胶体，压合于所述基板的第一表面上，以包覆所述芯片及所述第一电性连接组件，其中所述封装胶体具有至少一开孔，用于暴露出所述第一电性连接组件，所述封装胶体包括绝缘材料层及绝缘材料强化层，所述绝缘材料强化层的材料为掺杂有玻璃纤维的树脂材料；以及一强化金属层，形成于所述封装胶体上，并具有至少一窗孔，用于暴露出所述开孔，其中所述强化金属层的厚度是介于10微米与150微米之间。