用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法

摘要

公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并生成对应的FinFET结构。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。

主权项

一种生成包括FinFET结构布局的集成电路IC设计的方法，所述方法包括：接收用于IC设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面有源区域；生成多个FinFET有源区域，所述多个FinFET有源区域对应于所述多个平面有源区域；限定多个FinFET单元，其中，每个FinFET单元均包括一个或多个FinFET边界，所述一个或多个FinFET边界包括所述多个FinFET有源区域中的一个或多个；确定所述多个FinFET单元的每一个是否包括对称FinFET边界；以及在对应于对称FinFET边界的FinFET单元中生成芯轴，以创建内部对称的FinFET边界或者多于一个的FinFET边界，其中，所述多于一个的FinFET边界中的每一个都具有相同数量或相同位置的芯轴，确定所述多个FinFET单元中的每一个是否包括对称FinFET边界，包括：对于每个FinFET单元，确定单元中心线和单元中心点；将所述单元中心线的一侧的FinFET单元中的FinFET边界与所述单元中心线的另一侧的FinFET边界进行比较；如果所述单元中心线的一侧的FinFET单元中的FinFET边界基本为所述单元中心线的另一侧的FinFET边界的镜像，则确定该FinFET单元包括对称FinFET边界；以及如果所述单元中心线的一侧的FinFET单元中的FinFET边界基本为相对于所述单元中心线的另一侧的FinFET边界的单元中心点的旋转图像，则确定该FinFET单元包括对称FinFET边界。