| 发明名称 | 薄膜晶体管、显示器件及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管，涉及显示技术领域，包括：形成在基板上的栅极、栅绝缘层及源极和漏极，所述源极和所述漏极位于不同层并通过氧化物半导体材质的半导体连接部隔离，所述半导体连接部的位置与所述栅极的位置相对应，在对应于所述半导体连接部的位置处，所述源极的位置和所述漏极的位置至少有一部分重叠。本发明还公开了一种包括上述薄膜晶体管的显示器件及其制备方法，及包括所述显示器件的显示装置。本发明通过将源极和漏极位于不同的层，使得在制备过程中刻蚀源漏金属时不再需要额外的绝缘层来保护氧化物半导体层被刻蚀液损坏。由于不需要制备额外的绝缘层，从而简化了层次结构节省了工艺流程和成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103000693B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201210377613.8 | 申请日期 | 2012.10.08 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 李正勋;车莲花 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G09F9/35(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：形成在基板上的栅极、栅绝缘层及源极和漏极，其特征在于，所述源极和所述漏极位于不同层并通过氧化物半导体材质的半导体连接部隔离，所述半导体连接部的位置与所述栅极的位置相对应，在对应于所述半导体连接部的位置处，所述源极的位置和所述漏极的位置至少有一部分重叠，所述源极盖住所述半导体连接部。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||