| 发明名称 | 电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供Cu-Ni-Si-Co系铜合金，其能够以高水平实现强度与导电率，同时抗永久变形性也优异。电子材料用铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1×10<sup>12</sup>～1×10<sup>14</sup>个／mm<sup>3</sup>；粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3～6。 | ||
| 申请公布号 | CN102227510B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN200980147901.0 | 申请日期 | 2009.11.20 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 桑垣宽 |
| 分类号 | C22C9/06(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C9/10(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I;C22F1/02(2006.01)I | 主分类号 | C22C9/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 庞立志;高旭轶 |
| 主权项 | 电子材料用铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1×10<sup>12</sup>～1×10<sup>14</sup>个／mm<sup>3</sup>；粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3～6。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||